[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201810744557.4 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN108878328B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 浅川雄二;绿川洋平;户田聪;高桥宏幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括:腔室(40),其被保持为真空气氛,用于容纳晶圆(W);基板载置台(41),其用于在腔室(40)内载置晶圆(W);气体导入构件(42),其用于向腔室(40)内导入含有处理气体的气体;分隔壁构件(44),其以能够进行升降的方式设置,用于形成分隔壁,该分隔壁在基板载置台(41)的上方的包括晶圆(W)的区域中限定处理空间(S);以及升降机构(45),其用于使分隔壁构件(44)进行升降。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其用于在真空气氛下利用处理气体对被处理基板实施规定的处理,其特征在于,该基板处理装置包括:腔室,其被保持为真空气氛,用于容纳被处理基板;基板载置台,其用于在所述腔室内载置被处理基板;气体导入构件,其用于向所述腔室内导入含有处理气体的气体;分隔壁构件,其以能够进行升降的方式设于所述腔室内,用于形成分隔壁,该分隔壁在所述基板载置台的上方的包括被处理基板的区域中限定密闭的处理空间;以及升降机构,其用于使所述分隔壁构件进行升降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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