[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810730781.8 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216543B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金钟旭;朴正熙;朴盛健;朴淳五;李政武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一存储单元，在第一方向上延伸并且包括第一相变存储器和在所述第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)；第二存储单元，在所述第一方向上延伸并且包括第二相变存储器和在所述第二相变存储器上的第二双向阈值开关，所述第二存储单元在交叉所述第一方向的第二方向上与所述第一存储单元间隔开；第一盖膜，在所述第一存储单元和所述第二存储单元的侧表面上；以及第二盖膜，在所述第一盖膜上并且填充所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的空间。
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