[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一存储单元，在第一方向上延伸并且包括第一相变存储器和在所述第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)；

第二存储单元，在所述第一方向上延伸并且包括第二相变存储器和在所述第二相变存储器上的第二双向阈值开关，所述第二存储单元在交叉所述第一方向的第二方向上与所述第一存储单元间隔开；

第一盖膜，在所述第一存储单元和所述第二存储单元的侧表面上；以及第二盖膜，在所述第一盖膜上并且填充所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的空间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一存储单元包括在所述第一双向阈值开关上的第一上部电极和在所述第一相变存储器下方的第一下部电极，以及

所述第二存储单元包括在所述第二双向阈值开关上的第二上部电极和在所述第二相变存储器下方的第二下部电极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一存储单元包括在所述第一双向阈值开关与所述第一相变存储器之间的第一中间电极，以及

所述第二存储单元包括在所述第二双向阈值开关与所述第二相变存储器之间的第二中间电极。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元的高宽比为5或更大。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一盖膜和所述第二盖膜包括不同的材料。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一盖膜相对于HF的湿蚀刻速率(WER)大于所述第二盖膜相对于HF的湿蚀刻速率。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一盖膜和所述第二盖膜的每个包括SiN、SiON、SiCN和SiBN中的至少一种。

8.一种半导体器件，包括：

第一字线，在第一方向上延伸；

第一位线，在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，所述第一位线在交叉所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述第一字线间隔开；

第一存储单元，在所述第三方向上在所述第一字线与所述第一位线之间延伸，所述第一存储单元包括顺序堆叠的第一相变存储器和第一双向阈值开关，

第一盖膜，围绕所述第一存储单元的侧表面；以及

第二盖膜，在所述第一盖膜的外侧表面上并且填充所述第一位线与所述第一字线之间的空间。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一盖膜相对于HF的湿蚀刻速率(WER)大于所述第二盖膜相对于HF的湿蚀刻速率。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一存储单元包括在所述第一相变存储器下方的第一下部电极。

11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

模制膜，围绕所述第一下部电极，

其中所述第一盖膜和所述第二盖膜在所述模制膜上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

第二位线，在所述第二方向上延伸，在所述第一方向上与所述第一位线间隔开，并且在所述第三方向上与所述第一字线间隔开；以及

第二存储单元，在所述第三方向上形成在所述第二位线与所述第一字线之间，所述第二存储单元包括顺序堆叠的第二相变存储器和第二双向阈值开关。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一盖膜包括：

第一部分，围绕所述第一存储单元的侧表面，

第二部分，围绕所述第二存储单元的侧表面，以及

第三部分，沿所述模制膜的上表面形成。