[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。

技术领域

这里描述的一个或更多个实施方式涉及半导体器件及制造该半导体器件的方法。

背景技术

易失性半导体存储器件在电源关闭时丢失所存储的信息。非易失性半导体存储器件在电源关闭时保留所存储的信息。非易失性存储器件的示例包括闪速存储器件和相变存储器件。

发明内容

根据一个或更多个实施方式，一种半导体器件包括：第一存储单元，在第一方向上延伸并包括第一相变存储器和在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)；第二存储单元，在第一方向上延伸并包括第二相变存储器和在第二相变存储器上的第二OTS，第二存储单元在交叉第一方向的第二方向上与第一存储单元间隔开；第一盖膜，在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上；以及第二盖膜上，在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。

根据一个或更多个另外的实施方式，一种半导体器件包括：第一字线，在第一方向上延伸；第一位线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，第一位线在交叉第一方向和第二方向的第三方向上与第一字线间隔开；第一存储单元，在第一字线与第一位线之间在第三方向上延伸，第一存储单元包括顺序地堆叠的第一相变存储器和第一OTS；第一盖膜，围绕第一存储单元的侧表面；以及第二盖膜，在第一盖膜的外侧表面上并填充第一位线与第一字线之间的空间。

根据一个或更多个另外的实施方式，一种半导体器件包括：第一字线，在第一方向上延伸；第二字线，在第一方向上并在第一字线上与第一字线平行地延伸；第一位线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，第一位线在第一字线与第二字线之间；第一存储单元，在竖直方向上在第一字线与第一位线之间，第一存储单元包括顺序堆叠的第一相变存储器和第一OTS；第二存储单元，在竖直方向上在第二字线与第一位线之间，第二存储单元包括顺序堆叠的第二相变存储器和第二OTS；第一盖膜，围绕第一存储单元的侧表面；第二盖膜，围绕第二存储单元的侧表面；第三盖膜，形成在第一盖膜上以填充第一位线与第一字线之间的空间；以及第四盖膜，形成在第二盖膜上以填充第一位线与第二字线之间的空间。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出半导体器件的一实施方式；

图2示出沿图1的线A-A'截取的剖视图；

图3示出图2的部分K的放大剖视图；

图4示出沿图1的线B-B'截取的剖视图；

图5示出半导体器件的另一实施方式；

图6示出沿图5的线C-C'截取的剖视图；

图7示出沿图5的线D-D'截取的剖视图；

图8示出半导体器件的另一实施方式；

图9示出半导体器件的另一实施方式；以及

图10至26示出与制造半导体器件的方法的一实施方式对应的中间阶段。

具体实施方式

图1示出半导体器件的一实施方式的布局。图2示出沿图1的线A-A'截取的剖视图。图3示出图2的部分K的放大剖视图。图4示出沿图1的线B-B'截取的剖视图。