[发明专利]一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法有效
| 申请号： | 201810726715.3 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108807551B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李广耀;闫梁臣;王东方;汪军;王庆贺;胡迎宾;刘宁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G01J1/42;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法，用以提高薄膜晶体管的感光性能和感压性能，从而有利于提高检测压力或光照时的精度。本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，所述半导体层的材料包括二碲化钼。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 检测 装置 及其 压力 光照 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，其特征在于，所述半导体层的材料包括二碲化钼。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810726715.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：替位式掺杂原子尺度二极管
- 同类专利
- 专利分类
