[发明专利]一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810722927.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108922947B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王军喜;张亮;郭亚楠;吴清清;闫建昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层有源区的材料质量，释放外延层应力，提高内量子效率，还能通过多孔结构降低光的内部反射提高出光效率，同时相对于传统图形衬底外延技术，该外延模板制备方法更加简单，外延层合并更容易。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多孔 外延 模板 紫外 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，该紫外发光二极管的结构依次包括：衬底(11)、模板层(12)、多孔层(13)、n型AlGaN层(14)、有源区(15)、电子阻挡层(16)、p型层(17)；所述n型AlGaN层台面(14)有n型欧姆电极(19)，p型层(17)上有p型欧姆电极(18)。
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