[发明专利]一种基于量子点的单光子源有效
| 申请号： | 201810722562.5 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109004508B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 叶寒;王芋晶;俞重远;刘玉敏;王叶;张春雨 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 丁芸;项京 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种基于量子点的单光子源，包括：衬底(1)、量子点(2)、金属微纳结构(3)和增益介质层(4)；所述量子点(2)、所述金属微纳结构(3)分别设置于所述衬底(1)之上；所述金属微纳结构(3)包括：两个沿长轴对半剖开的相同的半椭球，所述半椭球面的平面贴合于所述衬底(1)，所述量子点(2)位于两个所述半椭球之间，并且分别与两个所述半椭球之间具有间隔；所述增益介质层(4)覆盖于所述衬底(2)之上，包裹所述量子点(2)和所述金属微纳结构(3)。本发明实施例，通过增加增益介质层，以减少金属微纳结构的损耗，解决不易获得单光子的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 微纳结构 半椭球 衬底 金属 增益介质层 单光子源 平面贴合 单光子 剖开 长轴 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于量子点的单光子源，其特征在于，包括：衬底(1)、量子点(2)、金属微纳结构(3)和增益介质层(4)；/n所述量子点(2)、所述金属微纳结构(3)分别设置于所述衬底(1)之上；/n所述金属微纳结构(3)包括：两个沿长轴对半剖开的相同的半椭球，所述半椭球面的平面贴合于所述衬底(1)，所述量子点(2)位于两个所述半椭球之间，并且分别与两个所述半椭球之间具有间隔；/n所述增益介质层(4)覆盖于所述衬底(2)之上，包裹所述量子点(2)和所述金属微纳结构(3)；/n所述增益介质层是由二氧化硅SiO
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