[发明专利]包括NAND串的存储器设备及操作存储器设备的方法有效
| 申请号： | 201810722252.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109308929B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 金完东;金兑炫;南尚完;朴商秀;郑宰镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了操作包括多个NAND串的存储器设备，当选择的字线的电压增加时，使多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得未选择的NAND串的沟道电压升高。当选择的字线的电压降低时，使未选择的NAND串的沟道电压放电。当选择的字线的电压增加时，可以通过使未选择的NAND串浮置以使得未选择的NAND串的沟道电压的升高与选择的字线的电压的增加一起发生来降低负载，当选择的字线的电压降低时，可以通过在选择的字线的电压降低时使未选择的NAND串的升高的沟道电压放电来降低负载。通过这样降低选择的字线的负载，可以缩短电压建立时间并提高存储器设备的操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 nand 存储器 设备 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作包括多个NAND串的存储器设备的方法，该方法包括：增加选择的字线的电压；当所述选择的字线的电压增加时，将所述多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得所述未选择的NAND串的沟道电压升高；降低所述选择的字线的电压；以及当所述选择的字线的电压降低时，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电。
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