[发明专利]一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法有效
| 申请号： | 201810717390.2 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109036706B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 祝清省;郑博达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及透明导电薄膜技术领域，具体涉及一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法。该方法首先制备得到透明导电薄膜；再将此透明导电薄膜放入到精密离子刻蚀仪中，并调节设备电流电压到合适值；利用离子束轰扫薄膜表面去除表面吸附的一层不导电层从而提高薄膜的光电性能。采用本发明处理的透明导电薄膜，可大幅度提高薄膜的光电性能，操作简单，成本和能耗低，对生态环境无污染，不会损坏薄膜材料以及基底，适用于处理任何种类的透明导电薄膜且这种方法可配合传统的后处理使用进一步去提高透明导电薄膜的光电性能，具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 透明 导电 薄膜 光电 性能 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)制备得到透明导电薄膜；(2)将此透明导电薄膜放入到精密离子刻蚀仪中，调节设备电流电压；(3)利用离子束轰扫薄膜表面去除表面吸附的一层不导电层，从而提高薄膜的光电性能。
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