[发明专利]多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法在审
| 申请号： | 201810714759.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108808442A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王健;王雅琼;孙长征;熊兵;罗毅;郝智彪;韩彦军;汪莱;李洪涛 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/10;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 分布反馈半导体激光器 多波长 腔面 制备 光栅 波导 表面光栅 侧向耦合 脊波导 输出光 有效地 波长 刻蚀 纵模 | ||
【主权项】：
1.一种多波长分布反馈半导体激光器阵列，其特征在于：包括光栅、波导和输出光腔面，其中，所述光栅为侧向耦合表面光栅，所述波导为脊波导，所述腔面为刻蚀形成的腔面。
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