[发明专利]存储器件的测试装置及相关的存储器件的测试和制造方法

摘要

本发明的实施例公开了存储器测试系统，该存储器测试系统包括存储器集成电路(IC)和存储器功能测试器。存储器IC包括多个存储体，其中，每个存储体均包括多个存储单元。存储器功能测试器包括可调电压生成器电路、读取电流测量电路和控制器。存储器功能测试器通过多个写入控制电压对存储体实施写入/读取功能测试以确定优选写入控制电压，其中，所述优选写入控制电压被指定在对操作模式期间的存储体的后续写入操作期间使用。本发明的实施例还提供了制造以及测试具有多个存储体的存储器件的方法。

主权项

1.一种存储器的功能测试器，用于对多个存储单元实施写入/读取功能测试，所述存储器功能测试器包括：可调电压生成器电路，被配置为生成多个写入控制电压的每个写入控制电压，以在所述写入/读取功能测试的相应的第一写入周期和第二写入周期期间将第一逻辑状态和第二逻辑状态存储在所述多个存储单元中；读取电流测量电路，被配置为：测量第一组读取电流和第二组读取电流，所述第一组读取电流和所述第二组读取电流限定了与所述多个写入控制电压中的每个写入控制电压相关的第一读取电流分布和第二读取电流分布，其中，所述第一读取电流分布表示在所述第一写入周期期间存储在所述多个存储单元中的所述第一逻辑状态，并且所述第二读取电流分布表示在所述第二写入周期期间存储在所述多个存储单元中的所述第二逻辑状态；控制器，被配置为：确定落在与所述多个写入控制电压中的每个写入控制电压相关的所述第一读取电流分布和所述第二读取电流分布之外的误差电流的数量；基于与所述每个写入控制电压相关的对应的误差电流的数量和所述多个存储单元中的存储单元的数量来确定与所述每个写入控制电压相关的误差率；将与所述多个写入控制电压相关的误差率彼此进行比较；和基于所述误差率的比较，从所述多个写入控制电压选择优选写入控制电压。