[发明专利]一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810711336.7 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108899364B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;左慧玲;刘超;夏云;高吴昊;邓操 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/08;H01L29/745 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管。本发明通过将器件阴极设计为肖特基接触，从而在P阱区和阴极之间形成一个肖特基二极管，其中P |
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| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 mos 晶闸管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管，其元胞结构包括自下而上依次层叠的阳极(1)、P+阳极区(2)和漂移区(3)；所述漂移区(3)的上层具有P阱区(4)，在P阱区(4)上层具有沿器件垂直中线对称设置的2个N阱区(5)和位于N阱区(5)上层的P+区(6)，且P+区(6)靠近器件栅极；在漂移区(3)上表面两端还分别具有栅氧化层(7)，所述栅氧化层(7)还沿P阱区(4)上表面延伸至覆盖部分N阱区(5)和P+区(6)上表面；在栅氧化层(7)中具有多晶硅栅极(8)，两侧的栅氧化层(7)及多晶硅栅极(8)沿器件垂直中线呈对称分布；在两侧栅氧化层(7)之间的器件表面，覆盖有肖特基接触的阴极金属(9)，多晶硅栅极(8)的上表面和阴极金属(9)中间填充隔离介质进行隔离。
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