[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810706963.1 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109004024A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘江;金锐;崔磊;王耀华;高明超;赵哿;吴鹏飞;张璧君;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网河北省电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式，形成高压逆阻IGBT，所形成的器件能够实现高压反向耐压，且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容，工艺简单，可实施性强，克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 阱区 衬底导电类型 半导体器件 表面形成 逆阻IGBT 制作 半导体制作 反向耐压 直接键合 制造工艺 制作工艺 实施性 中高压 键合 背面 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。
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