[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810705914.6 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108735828A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 卢刚;张敏;刘飞;何风琴;郑路;钱俊;王旭辉;杨勇州;杨振英 | 申请（专利权）人： | 黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/076;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 810007 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池，包括N型晶硅衬底，N型晶硅衬底的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和电极层，第一掺杂非晶硅层包括交错排布的N型掺杂区和P型掺杂区，其中，电极层和第一掺杂非晶硅层之间设有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层包括依次设置在第一掺杂非晶硅层上的第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层的功函数大于第二薄膜层的功函数，第一薄膜层的功函数不小于5eV。本发明解决了现有异质结背接触太阳能电池的TCO薄膜层的功函数较小，造成电流的损失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 掺杂非晶硅层 功函数 背接触太阳能电池 异质结 透明导电薄膜层 依次设置 电极层 衬底 晶硅 本征非晶硅层 背光 交错排布 制备 | ||
【主权项】：
1.一种异质结背接触太阳能电池，包括N型晶硅衬底(1)，所述N型晶硅衬底(1)的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、第一掺杂非晶硅层(3)和电极层(4)，所述第一掺杂非晶硅层(3)包括交错排布的N型掺杂区(31)和P型掺杂区(32)，其特征在于，所述电极层(4)和所述第一掺杂非晶硅层(3)之间设有透明导电薄膜层(5)，所述透明导电薄膜层(5)包括依次设置在所述第一掺杂非晶硅层(3)上的第一薄膜层(51)和第二薄膜层(52)，所述第一薄膜层(51)的功函数大于所述第二薄膜层(52)的功函数，所述第一薄膜层(51)的功函数不小于5eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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