[发明专利]一种微带滤波器的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810698623.9 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN108879061A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 江文彬;王东;宋旭 申请(专利权)人: 成都旭思特科技有限公司
主分类号: H01P11/00 分类号: H01P11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市东三环*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种微带滤波器的制造方法,包括以下步骤:S1、准备一块P型硅片,在P型硅片上进行硼扩散,制造P+区;S2、根据滤波器指标设计电路图形;S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面;S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜;S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。本发明操作方便易掌握,能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率,通过薄膜采用聚四氟乙烯,薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。
搜索关键词: 电路图形 微带滤波器 硅片 薄膜 滤波器 制造 液态聚四氟乙烯 表面形成薄膜 印制 成品合格率 聚四氟乙烯 滤波器指标 影响滤波器 磁控溅射 电镀处理 电路图像 混合溶液 微波特性 多晶硅 硼扩散 上表面 丙酮 光刻 增厚
【主权项】:
1.一种微带滤波器的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、准备一块P型硅片,在P型硅片上进行硼扩散,制造P+区;S2、根据滤波器指标设计电路图形;S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面;S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜;S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。
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