[发明专利]一种二硒化铌薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810697016.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109137030A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨海峰;启迪;周毅平;付文文;李盈盈;胡晓柯;张伟英;赵建果;范一丹 | 申请（专利权）人： | 洛阳师范学院 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 单燕君 |
| 地址： | 471022 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及一种二硒化铌薄膜的制备方法，该方法采用电化学法在ITO基片上沉积而成；施加电压为30‑80V。本发明采用电沉积一步法制备出具有一定晶形和取向的二硒化铌薄膜，且方法工艺简单、成本低廉、反应条件温和以及制备效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 二硒化铌 制备 薄膜 薄膜制备技术 一步法制备 电化学法 反应条件 施加电压 电沉积 晶形 取向 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种二硒化铌薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学法在ITO基片上沉积而成；施加电压为30‑80V。
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