[发明专利]一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法有效
申请号: | 201810696045.5 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108873602B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 陈宏;肖代琴 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G03F1/78 | 分类号: | G03F1/78;G03F1/68;B82Y40/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法,涉及纳米制造领域。利用硅烷化试剂修饰基底,使基底表面的单分子层末端基团为惰性基团甲基;利用电子束曝光技术蚀刻单分子层;用带阳离子功能基团的试剂修饰经过处理的基底,使被电子束曝光出来的区域修饰上阳离子功能基团;将设计出特定形状和大小的DNA纳米结构经过退火合成,DNA折纸沉积在基底上,除去金属离子及多余DNA折纸;将基底放在容器中,容器内放入硅源试剂,反应得具有特定纳米图案的掩膜版;用紫外/臭氧处理掩膜版,除去表面的单分子层;利用DNA纳米结构作为图形骨架,硅源在自然条件或酸碱存在的条件下水解,生成二氧化硅包覆DNA骨架。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 dna 折纸 纳米 结构 制作 掩膜版 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法,其特征在于包括以下步骤:1)利用硅烷化试剂修饰基底,使基底表面的单分子层末端基团为惰性基团甲基;2)利用电子束曝光技术蚀刻单分子层,以达到图形有序、可控;3)用带阳离子功能基团的试剂修饰经过步骤2)处理的基底,使被电子束曝光出来的区域修饰上阳离子功能基团;4)将设计出特定形状和大小的DNA纳米结构经过退火合成,超滤除去多余短链的DNA折纸沉积在基底上,孵育后清洗基底,除去金属离子及多余DNA折纸;5)将基底放在密闭容器中,容器内放入硅源试剂、促进硅源水解的酸或碱溶液,密封反应后,取出基底,即得到具有特定纳米图案的掩膜版;6)用紫外/臭氧处理掩膜版,除去表面的单分子层;利用DNA纳米结构作为图形骨架,利用蒸发法将硅源附着在DNA骨架上,硅源在自然条件或酸碱存在的条件下水解,生成二氧化硅包覆DNA骨架,而DNA纳米结构是由致密的DNA链组成,形成致密的特定形状的二氧化硅图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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