[发明专利]晶圆结构在审
申请号: | 201810687529.3 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN109148559A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 林春生;吴谷泽;简志颖;周明宗 | 申请(专利权)人: | 矽创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/304 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆结构,其包含多个晶粒、多个切割道及多个制程图样,切割道相邻晶粒的第一边与第二边,制程图样集中位于相邻第一边的切割道内,或者集中位于晶粒内,或者集中位于相邻第一边的切割道及相邻第二边的切割道的部分切割道内,所以,不具制程图样的切割道的宽度缩减后可以增加每片晶圆可产出的晶粒的数量。 | ||
搜索关键词: | 切割道 晶粒 图样 制程 晶圆结构 宽度缩减 相邻晶粒 圆结构 片晶 种晶 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆结构,其特征在于,其包含:多个晶粒,具有多个第一边及多个第二边;多个切割道,相邻该些晶粒的该些第一边及该些第二边,相邻该些第二边的该些切割道的宽度小于相邻该些第一边的该些切割道的宽度;及多个制程图样,位于相邻该些第一边的该些切割道。
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