[发明专利]一种二维材料-有机铁磁材料超晶格存储器单元及其制备

摘要

本发明涉及一种二维材料‑有机铁磁材料超晶格存储器单元及其制备，其制备方法具体为：a)取由衬底(1)、介质层(2)和多层二维材料(31)复合而成的器件结构浸入到含有机铁磁材料(32)的电解质溶液中；b)在多层二维材料(31)上制作三电极体系并施加负电压，使带正电荷的有机铁磁材料(32)被嵌入到多层二维材料(31)中，形成超晶格(3)；c)再在超晶格(3)两端设置金属电极，即完成。与现有技术相比，本发明采用电化学分子插层技术开发一类二维材料和铁磁材料相互交替的稳定超晶格材料，超晶格内铁磁材料形成的电磁容量形成并联状态，提高了存储单元的电容量和集成密度，同时具有稳定性好、操作电压低、功耗小及成本低等特点。

主权项

1.一种二维材料‑有机铁磁材料超晶格存储器单元，其特征在于，至少包括衬底(1)、生长在衬底(1)上的介质层(2)，复合在介质层(2)上的超晶格(3)，所述超晶格由多层二维材料(31)和插入多层二维材料(31)的各单层之间的有机铁磁材料(32)组成，所述超晶格(3)的两端分别生长有金属电极。