[发明专利]双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810683778.5 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660847B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王学良;刘建华;袁志巧;闵亚能 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双极型晶体管及其制造方法，双极型晶体管包括内置的续流二极管，续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，第一主面设置有第一目标掺杂区，第二主面设置有第二目标掺杂区，第一目标掺杂区为用于制作p型掺杂区的区域，第二目标掺杂区为用于制作n型掺杂区的区域，制造方法包括：向第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成p型掺杂区；向第二目标区域中注入氢离子，以形成n型掺杂区和复合中心，复合中心用于降低续流二极管的临界饱和电压以及加速反向恢复时间。本发明采用氢离子注入工艺在n型掺杂层中形成复合中心，能够加速内置的续流二极管的反向恢复速度，提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述双极型晶体管包括内置的续流二极管，所述续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，所述双极型晶体管在半导体衬底基片上制造，所述半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，所述第一主面设置有第一目标掺杂区，所述第二主面设置有第二目标掺杂区，所述第一目标掺杂区与所述第二目标掺杂区相邻，所述第一目标掺杂区为用于制作所述p型掺杂区的区域，所述第二目标掺杂区为用于制作所述n型掺杂区的区域，所述双极型晶体管的制造方法包括以下步骤：/n向所述第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成所述p型掺杂区；/n向所述第二目标区域中注入氢离子，以形成所述n型掺杂区和复合中心，所述复合中心用于降低所述续流二极管的临界饱和电压以及加速所述续流二极管的反向恢复时间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造有限公司，未经上海先进半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810683778.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及制作方法、发光装置
- 下一篇：半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
