[发明专利]一种实现准全向硅太阳电池的方法及准全向分析方法有效
申请号: | 201810675157.2 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108878549B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 沈文忠;庄宇峰;钟思华;李正平 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法,涉及太阳电池领域,包括以下步骤:步骤一,将硅片置于含金属离子溶液中,使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒,得到附有金属纳米颗粒的硅片;步骤二,将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中,使所述硅片表面形成纳米结构,得到表面附有纳米结构的硅片;步骤三,将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中,去除表面附着的金属纳米颗粒,得到制绒的硅片;步骤四,将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能,增加太阳电池的日或年发电量。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 全向 太阳电池 方法 分析 | ||
【主权项】:
1.一种实现准全向硅太阳电池的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将硅片置于含金属离子溶液中,使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒,得到附有金属纳米颗粒的硅片;步骤二,将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中,使所述硅片表面形成纳米结构,得到表面附有纳米结构的硅片;步骤三,将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中,去除表面附着的金属纳米颗粒,得到制绒的硅片;步骤四,将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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