[发明专利]一种ITO烧结靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201810671772.6 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108947520B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 梅方胜;袁铁锤;陈立三;杨杨;刘文德;李瑞迪;赵为上;苗华磊 | 申请（专利权）人： | 株洲冶炼集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C23C14/35 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 周孝湖 |
| 地址： | 412000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种ITO烧结靶材的制备方法，包括以下步骤：将In |
||
| 搜索关键词： | 一种 ito 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ITO烧结靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0‑2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；(2)、将步骤(1)所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；(3)、将步骤(2)所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；(4)、将步骤(3)所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲冶炼集团股份有限公司，未经株洲冶炼集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810671772.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压电陶瓷及其制备方法、压电装置及其应用
- 下一篇：一种压敏电阻材料的制备方法
