[发明专利]一种全透明柔性非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810670158.8 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110459588A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;陆波静 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 梁群兰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310058浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的全透明柔性非晶氧化物半导体薄膜晶体管，以透明的有机聚合物为衬底，衬底保护与气体阻隔层为Al2O3薄膜，栅极绝缘层为Al2O3‑ZrO2复合薄膜，栅极、源极和漏极为AZO薄膜，沟道层为ZnAlMO薄膜，封装层为Al2O3薄膜，各层材料均为含有Al元素的氧化物薄膜，且其禁带宽度均大于3.35 eV，在可见光区域是透明的。采用等离子体轰击技术、有机衬底低温加热技术、衬底保护与气体阻隔层技术、功能层低温沉积技术、脉冲激光瞬间退火技术等，实现薄膜晶体管器件的制备和后续处理，制得的全透明柔性非晶氧化物半导体薄膜晶体管，开关电流比大于107，场效应迁移率大于50cm2/Vs，器件可见光透过率大于91%。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜 非晶氧化物半导体 薄膜晶体管 气体阻隔层 全透明 透明的 薄膜晶体管器件 场效应迁移率 等离子体轰击 低温沉积技术 可见光透过率 开关电流比 可见光区域 氧化物薄膜 有机聚合物 栅极绝缘层 低温加热 复合薄膜 后续处理 脉冲激光 退火技术 有机衬底 封装层 功能层 沟道层 禁带 源极 制备 | ||
【主权项】：
1.一种全透明柔性非晶氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述全透明柔性非晶氧化物半导体薄膜晶体管依次包括衬底、覆盖于衬底正反面的衬底保护与气体阻隔层、栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极和漏极、封装层；其中以透明有机聚合物为衬底，衬底保护与气体阻隔层为Al2O3薄膜，栅极绝缘层为Al2O3-ZrO2复合薄膜，栅极、源极和漏极为Al掺杂ZnO薄膜，沟道层为ZnAlMO薄膜，其中M为金属元素；封装层为Al2O3薄膜；除衬底外，各层材料均为含有Al元素的氧化物薄膜，且禁带宽度均大于3.35 eV，在可见光区域是透明的。/n
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