[发明专利]纳米压印法实现DFB激光器脊波导上绝缘层开窗工艺在审
| 申请号： | 201810670019.5 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108963753A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 曲迪;白国人;陈墨;靳春艳;宋学颍 | 申请（专利权）人： | 华慧芯科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;G03F7/00 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米压印法实现DFB激光器脊波导上绝缘层开窗工艺。属于微电子技术、光纤通信技术领域，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、基片清洗；步骤二、基片表面旋涂光刻胶，通过曝光显影，将光刻版上的图案转移至基片表面；步骤三、光刻胶作掩膜，刻蚀出脊形波导，去除光刻胶；步骤四、在基片上沉积绝缘层；步骤五、基片表面旋涂压印胶，利用对应的纳米压印掩膜版，实现图案的转移；步骤六、去除脊波导上残余的压印胶；步骤七、刻蚀脊波导上的薄膜，去胶后，实现绝缘层开窗。本发明降低了工艺难度，提高了工艺精度，且大大缩短了加工时间，无疑大大降低了加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 脊波导 基片表面 光刻胶 纳米压印法 上绝缘层 压印胶 开窗 刻蚀 旋涂 去除 绝缘层 光纤通信技术 微电子技术 绝缘层开窗 工艺难度 基片清洗 脊形波导 纳米压印 曝光显影 图案转移 残余的 光刻版 掩膜版 沉积 去胶 掩膜 薄膜 加工 图案 | ||
【主权项】：
1.一种纳米压印法实现DFB激光器脊波导上绝缘层开窗工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、基片清洗；S2、基片表面旋涂光刻胶，通过曝光显影，将光刻版上的图案转移至基片表面；S3、光刻胶作掩膜，刻蚀出脊形波导，去除光刻胶；S4、在基片上沉积绝缘层；S5、基片表面旋涂压印胶，利用对应的纳米压印掩膜版，实现图案的转移；S6、去除脊波导上残余的压印胶；S7、刻蚀脊波导上的薄膜，去胶后，实现绝缘层开窗。
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