[发明专利]一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201810659461.8 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109037449B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 仪明东;宋子忆;李雯;陈旭东;李焕群;李宇 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210023 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 场效应 晶体管 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机场效应晶体管存储器，包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，其特征在于：还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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