[发明专利]具有超级结结构的场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810658937.6 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108807184B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张帅;黄昕 | 申请（专利权）人： | 济南安海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 250102 山东省济南市中国（山东）自由贸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有超级结结构的场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。采用了该发明的具有超级结结构的场效应晶体管的制造方法，其在P柱槽的底部及侧边注入硼；再注入多晶硅；去除多余的多晶硅后高温退火，将硼扩散到所述的多晶硅内形成P柱，实现电荷平衡效果，由此代替传统的外延生长工艺，无需外延生长设备，简化生产工艺，降低生产成本，且本发明的实现方式简便，应用范围也相当广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超级 结构 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超级结结构的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在衬底上形成P柱槽；(2)在所述的P柱槽的底部及侧边注入硼；(3)去除硬膜和所述P柱槽的槽内氧化层；(4)在所述的P柱槽内注入多晶硅；(5)研磨去除多余的多晶硅；(6)高温退火，将所述的硼扩散到所述的多晶硅内形成P柱；(7)后续工艺，形成具有超级结结构的场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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