[发明专利]一种铝衬垫的制造方法在审
| 申请号： | 201810654568.3 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109065462A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴佳宏;周惟舜;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝衬垫的制造方法，应用于半导体制造领域，沉淀工艺中包括至少两次间隔的沉淀操作，在沉淀操作的间隔时间中于反应腔内进行原位退火操作。本发明的技术方案在不改变晶圆的制造环境条件下，促使了晶粒的原位生长，给予薄膜更多的能量以进行薄膜晶粒的重组，从而得到更大的晶粒，有效地减少了晶粒交界的个数，减少铝薄膜晶粒连接，有效地减少了铝衬垫晶体缺陷的产生，提高了后续封装的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 铝衬垫 有效地减少 沉淀 半导体制造领域 薄膜晶粒 沉淀工艺 晶体缺陷 原位生长 原位退火 制造环境 次间隔 反应腔 铝薄膜 晶圆 良率 薄膜 封装 制造 交界 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铝衬垫的制造方法，应用于半导体制造领域，其特征在于，包括一沉淀工艺，所述沉淀工艺包括至少两次间隔的沉淀操作，每次所述沉淀操作中，以预设的功率、反应腔温度、持续时间在反应腔内依次生长预设厚度的铝薄膜；在所述沉淀操作的间隔时间中于所述反应腔内进行原位退火操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
