[发明专利]一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管

摘要

本发明公开了一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管。有必要改良场板，提升器件的击穿电压和导通电阻。本发明的漂移区设置在衬底层围成的凹形区域内；源区设置在硅体的凹形区域内；硅体内侧面与漂移区和衬底层的交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；漏区内侧面与漂移区和L形场板的交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；氧化槽设置在漂移区围成的凹形区域内；氧化槽设有L形槽，L形槽包括竖直槽和水平槽；竖直槽开口于氧化槽的顶部；水平槽朝向漏区设置；L形垂直场板设置在氧化槽的L形槽中，L形垂直场板顶部伸出氧化槽外；器件沟道由源区和漂移区之间的硅体提供。本发明的硅膜层容纳载流子的能力更强，器件的导通电阻明显降低。

主权项

1.一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管，包括衬底层、硅膜层和器件顶层，其特征在于：所述的衬底层在最底部，呈凹形；衬底层的掺杂类型为P型，掺杂材料为硅；硅膜层位于衬底层上方，包括源区、硅体、漂移区、漏区、氧化槽和L形场板；漂移区设置在衬底层围成的凹形区域内；硅体和漏区位于衬底层两端，硅体呈凹形，源区设置在硅体的凹形区域内；硅体内侧面与漂移区和衬底层的侧部交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；漏区内侧面与漂移区和氧化槽的侧部交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；漂移区呈凹形，氧化槽设置在漂移区围成的凹形区域内；氧化槽设有L形槽，L形槽包括竖直槽和水平槽；竖直槽开口于氧化槽的顶部；水平槽朝向漏区设置；L形垂直场板设置在氧化槽的L形槽中，L形垂直场板顶部伸出氧化槽外；源区顶面、硅体顶面、漂移区靠近硅体一侧的顶面、氧化槽顶面以及漏区顶面对齐设置；氧化槽采用二氧化硅材料，源区、硅体、漂移区、漏区和L形垂直场板都为硅材料；器件沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；硅体掺杂类型为P型；漂移区掺杂类型为N型；源区和漏区的掺杂类型为N型，L形垂直场板的硅材料不进行掺杂；器件顶层包括栅氧化层、源电极、栅电极和漏电极；栅氧化层位于沟道上方，且与L形垂直场板接触；栅氧化层采用二氧化硅材料；栅氧化层被栅电极全部覆盖；源电极位于源区上方，且与栅氧化层之间设有间距；漏电极位于漏区上方，且与氧化槽在长度方向上设有间距。