[发明专利]具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯片在审
| 申请号： | 201810650494.6 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109119415A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | J.鲍姆加特尔;B.艾青格;O.黑尔蒙德;J.T.路德维希;I.莫德;I.穆里;A.森格;D.佐默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯片。一种集成电路器件，包括：芯片管芯，其具有带有第一厚度的第一区域，该第一区域围绕带有第二厚度的第二区域，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述芯片管芯具有前侧和背侧；至少一个无源电部件，其在前侧上以在第一区域中的芯片管芯中或者其上方中的至少一种来提供；以及至少一个有源电部件，其在前侧上以在第二区域中的芯片管芯中或者其上方中的至少一种来提供。 | ||
| 搜索关键词： | 电部件 芯片管 第一区域 无源 单片集成芯片 第二区域 稳定结构 芯片边缘 集成电路器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：芯片管芯，其具有带有第一厚度的第一区域，该第一区域围绕带有第二厚度的第二区域，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述芯片管芯具有前侧和背侧；至少一个无源电部件，其在前侧上以在第一区域中的芯片管芯中或者其上方中的至少一种来提供；以及至少一个有源电部件，其在前侧上以在第二区域中的芯片管芯中或者其上方中的至少一种来提供。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
