[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201810644337.4 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN109103089B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 谷川雄洋;河田进二;瀬本贵之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在腔室内的构件的表面更均匀地形成致密的保护膜的等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法包括供给工序和成膜工序。在供给工序中，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含与化合物气体中包含的卤元素相同种类的卤元素且不包含硅元素的添加气体。在成膜工序中，利用混合气体的等离子体，在腔室内的构件的表面形成保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：供给工序，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含与所述化合物气体中包含的卤元素相同种类的卤元素且不包含硅元素的添加气体；以及成膜工序，利用被供给到所述腔室内的所述混合气体的等离子体，在所述腔室内的构件的表面形成保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
