[发明专利]在信号切换瞬变期间减少存储器装置中的读取干扰

摘要

在感测过程期间用于减少存储器单元的读取干扰的存储器装置和相关联的技术。在未被选择的子区块中的存储器串的漏极端和/或源极端处，在感测过程期间将选择栅极晶体管一次或多次地转变到导电状态。转变可以在感测过程期间多次周期性地发生。当选择栅极晶体管处于导电状态中时，可以移除沟道中的累积的空穴。这有助于提供在感测过程结束时当未被选择的字线电压斜降时沟道电势的较快减少。紧挨于边缘数据存储器单元的干扰诱导的沟道梯度的持续时间减少，使得该单元的读取干扰也减少。

主权项

1.一种设备，包括：多个NAND串(700n‑703n、710n‑713n、720n‑723n)，其布置在选择的子区块(SB0)和未被选择的子区块(SB1‑SB3)中，每个NAND串包括选择栅极晶体管(701、717、718；721、737、738；741、757、758；761、777、778)和在所述选择栅极晶体管之间的存储器单元(704‑714、724‑734、744‑754、764‑774)；多个字线(WLL0‑WLL10)，其连接到所述存储器单元；未被选择的字线的控制电路(117)，其配置为将读取通过电平处的电压施加到在所述多个字线之中的未被选择的字线；选择的字线的控制电路(115)，其配置为将一个或多个控制栅极读取电平处的电压施加到在所述多个字线之中的选择的字线；以及选择栅极控制电路(119)，其与所述未被选择的子区块相关联，其配置为在将在所述一个或多个控制栅极读取电平处的所述电压施加于所述选择的字线上时以及在将所述读取通过电平处的所述电压施加到所述未被选择的字线时，提供所述未被选择的子区块中的所述选择栅极晶体管中的至少一些的从不导电状态到导电状态并且回到所述不导电状态的一个或多个转变。