[发明专利]一种译码器控制电路及Nor Flash存储器的版图布局方法有效

专利信息
申请号: 201810639071.4 申请日: 2018-06-20
公开(公告)号: CN108962319B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 李浩;李军;张小印;马力 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种译码器控制电路及Nor Flash存储器的版图布局方法。译码器控制电路占用版图面积小、控制原理和结构简单,布局布线简单、外围驱动电路面积小、读取路径短、读取速度快。尤其是在大容量先进工艺的Nor Flash存储器中,本发明的译码器控制电路具备明显的面积成本优势、较强的复用性和易扩展性。
搜索关键词: 一种 译码器 控制电路 nor flash 存储器 版图 布局 方法
【主权项】:
1.一种译码器控制电路,适用于Nor Flash存储器;其特征在于,所述的译码器控制电路包括预译码电路与Big‑Block译码电路;所述预译码电路与所述Big‑Block译码电路电连接,用于根据WL地址信息及模式控制信号解码出读、写、擦任一模式下的WL高压信号供所述Big‑Block译码电路选择输出;所述Big‑Block译码电路包括多个N‑Block译码电路,每一所述N‑Block译码电路由一N‑Block输出控制电路与一N‑Block输出选通电路构成,所述N‑Block输出选通电路包括多个Sector输出选通电路,每一所述Sector输出选通电路包括多个WL输出选通电路,其中,N=1/8、1/4、1/2、1、2、4;所述N‑Block输出控制电路与所述N‑Block输出选通电路电连接,用于使能或禁用所述N‑Block输出选通电路中的相应WL输出选通电路中的开关管,以使所需模式电压传输到所述Nor Flash存储器的阵列的相应WL上。
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