[发明专利]低电压大摆幅PVT不敏感自举型电荷传输电路

摘要

本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种信号传输电路，该低电压大摆幅PVT不敏感自举型电荷传输电路包括一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2、一个电荷传输镜像MOSFET管MSR、第一镜像NMOS管M1R、第二镜像NMOS管M2R、第一镜像PMOS管M3R、电流源I1、电压源V1和误差放大器AE。其优点是克服了现有信号传输电路中信号摆幅受限和共模电荷易受PVT波动影响的问题，可以广泛应用于各类信号处理电路中。

主权项

1.一种低电压大摆幅PVT不敏感自举型电荷传输电路，其特征是：包括一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2、一个电荷传输镜像MOSFET管MSR、第一镜像NMOS管M1R、第二镜像NMOS管M2R、第一镜像PMOS管M3R、电流源I1、电压源V1和误差放大器AE；所述低电压大摆幅PVT不敏感自举型电荷传输电路的连接关系为：第一NMOS管M1的栅端连接到电荷待传输节点Ni，即电荷传输MOSFET管S的源极，还连接到栅压自举增压电路的电压输入端；第一NMOS管M1的源端连接到地电平，第一NMOS管M1的漏端连接到第二NMOS管M2的源端，第一NMOS管M1的衬底连接到第一镜像NMOS管M1R的衬底和误差放大器AE的误差输出端；第二NMOS管M2的漏端连接到第一PMOS管M3的漏端和电荷传输MOSFET管S的栅端G，第二NMOS管M2的栅端连接到第一偏置电压，第二NMOS管M2的衬底接地电平；第一PMOS管M3的栅端连接到第二偏置电压，第一PMOS管M3的源端和衬底连接到栅压自举增压电路的电压输出端Vboost；第一镜像NMOS管M1R的源端连接到地电平，第一镜像NMOS管M1R的漏端连接到第二镜像NMOS管M2R的源端；第二镜像NMOS管M2R的漏端连接到第一镜像PMOS管M3R的漏端和电荷传输镜像MOSFET管MSR的栅端，第二镜像NMOS管M2R的栅端连接到第一偏置电压，第二镜像NMOS管M2R的衬底接地电平；第一镜像PMOS管M3R的栅端连接到第二偏置电压，第一镜像PMOS管M3R的源端和衬底连接到栅压自举增压电路的电压输出端Vboost；电荷传输目标节点No，即电荷传输MOSFET管S的漏极，通过第二电容C2接控制信号Ck1n；电荷待传输节点Ni通过第一电容C1接控制信号Ck1；电荷传输MOSFET管S和电荷传输镜像MOSFET管MSR的衬底均连接到地电平；栅压自举增压电路的时钟输入端连接控制信号Ck1；误差放大器AE的负电压输入端连接基准电压V’R，误差放大器AE正电压输入端同时连接第一镜像NMOS管M1R的栅端、电荷传输镜像MOSFET管MSR的源端和电流源I1的电流输入端；电流源I1的电流输出端接地电平；电压源V1的高电压输出端接电荷传输镜像MOSFET管MSR的漏端，电压源V1的低电压输出端接地电平；其中，所述控制信号Ck1和控制信号Ck1n为高电平不交叠脉冲信号。