[发明专利]制备窄粒度分布的三氨基硝酸胍晶体的结晶方法及三氨基硝酸胍晶体

摘要

本发明涉及一种制备窄粒度分布的三氨基硝酸胍晶体的结晶方法及三氨基硝酸胍晶体，该方法通过降温析晶结合超声波刺激结晶控制三氨基硝酸胍的粒度分布和形貌，并且不用筛分即可获得具有窄粒度分布的不同粒径规格、形貌规则、晶体表面光滑无棱角、长径比在1‑1.5之间、分散性好的高品质TAGN晶体，本发明可实现不同粒度级配，解决了采用单一粒度规格的产品进行装药存在固体含量低的问题，通过粒度级配可满足装药对高固体含量以及通过粒度级配调节燃速的要求，避免了使用机械筛分和研磨含能材料进行粒度分级存在的安全隐患；本发明选用水为溶剂，母液循环重复利用，降低成本，对环境无污染。

主权项

1.制备窄粒度分布的三氨基硝酸胍晶体的结晶方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(1)、将晶体生长控制剂与去离子水混合，搅拌使晶体生长控制剂完全溶解在去离子水中；步骤(2)、向步骤(1)的混合溶液中加入三氨基硝酸胍，并加热搅拌至三氨基硝酸胍完全溶解，保温20‑30min；步骤(3)、将步骤(2)的混合溶液在搅拌状态下以设定的降温速率降至析晶点附近，开启超声波发生器刺激析晶，边降温边超声刺激析晶，根据所需结晶三氨基硝酸胍晶体的粒度要求，控制降温速率、搅拌速率及超声波振荡的功率，析出三氨基硝酸胍晶体；步骤(4)、降至要求的温度后，过滤、真空干燥得到三氨基硝酸胍晶体。