[发明专利]单片式多色光电探测器有效
申请号: | 201810618766.4 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108550600B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 邹泽亚 | 申请(专利权)人: | 杭州国翌科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 郑娴雅 |
地址: | 311200 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提出了一种单片式多色光电探测器,其包括衬底;在衬底上从下至上依次形成的第一吸收层结构、第二吸收层结构、……、第i吸收层结构、……、第N吸收层结构,N为大于1的正整数,i为大于1且小于等于N的正整数;每一个吸收层结构具有一个下接触层、一个吸收层和一个上接触层,相邻两个吸收层结构的接触层共用;沿光入射方向,N个吸收层的吸收波长逐渐变长。本发明采用多色探测器结构设计,能够实现短波红外或可见短波光谱范围内的多色同步探测或选择性带通探测。 | ||
搜索关键词: | 单片 多色 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种单片式多色光电探测器,其特征在于,包括:衬底;在所述衬底上从下至上依次形成的第一吸收层结构、第二吸收层结构、……、第i吸收层结构、……、第N吸收层结构,所述N为大于1的正整数,所述i为大于1且小于等于N的正整数;每一个吸收层结构具有一个下接触层、一个吸收层和一个上接触层,相邻两个吸收层结构的接触层共用;沿光线入射方向,N个吸收层的吸收波长逐渐变长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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