[发明专利]基于准范德华接触结构的二维半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810609906.1 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109037319A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 何军;王俊俊;王峰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于准范德华接触结构的二维半导体器件及其制备方法，器件的接触电极由石墨烯纳米片和金属垂直堆叠组成，金属被蒸镀在石墨烯纳米片上。该二维半导体器件，由于包含了石墨烯/金属准范德华接触结构，使得器件的一种载流子的肖特基势垒明显降低，另一种载流子的热辅助场发射激活能也表现出明显的降低，从而大大地提升了该半导体器件的性能。再者，使用六方氮化硼作为衬底时，基于该石墨烯/金属准范德华接触结构的器件表现出对衬底效应的免疫性。同时还公开了该接触结构的制备方法，通过对基于该制备方法获得的半导体器件进行性能的验证，证明了该制备方法的有效性，并且制备获得的半导体器件的性能也大大的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 接触结构 半导体器件 二维半导体 金属 载流子 石墨烯纳米片 石墨烯 衬底 六方氮化硼 肖特基势垒 垂直堆叠 接触电极 场发射 激活能 免疫性 热辅助 蒸镀 表现 验证 | ||
【主权项】：
1.一种基于准范德华接触结构的二维半导体器件，其特征在于，包括：所述半导体器件的接触电极为准范德华接触结构，所述准范德华接触结构由石墨烯纳米片和金属垂直堆叠组成，所述金属被垂直蒸镀在所述石墨烯纳米片上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810609906.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维存储器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
