[发明专利]一种铁电薄膜变容器的制备方法有效
| 申请号： | 201810607281.5 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108598262B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 夏丰金;李惠;杨佳恒;郭广海 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 李宏伟 |
| 地址： | 266100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电薄膜变容器的制备方法，利用激光脉冲沉积方法在氧化镁单晶衬底上制备锰掺杂钛酸锶钡薄膜，使用匀胶机将光刻胶均匀旋涂在薄膜表面；使用热板机对光刻胶先进行烘烤，然后进行对准和曝光；曝光完成后将样品进行适当处理即可进行显影；显影完成以后利用离子束刻蚀技术将图形转移到基片上。本发明的有益效果是本方法制备的变容器可以提高可调谐滤波器的调谐幅度，同时减小了变容器体积，降低损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电薄膜变容器的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：步骤1：利用激光脉冲沉积方法在氧化镁单晶衬底上制备锰钛酸锶钡薄膜和金薄膜；步骤2：甩胶：使用匀胶机将光刻胶均匀旋涂在薄膜表面；步骤3：曝光：甩胶之后，使用热板机对光刻胶先进行烘烤，然后进行对准和曝光；步骤4：显影：曝光完成后将样品进行适当处理即可进行显影；步骤5：刻蚀：显影完成以后利用离子束刻蚀技术将图形转移到基片上。
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