[发明专利]一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上生长SiO2层；在SiO2层上淀积Si3N4层；以光刻胶掩膜，离子注入Si衬底形成TFET的漏极；以光刻胶掩膜，离子注入Si衬底形成TFET的源极；进行快速高温退火，激活在源极和漏极掺杂的杂质；使用MBE形成InAs沟道；使用ALD在InAs沟道上淀积栅氧化层；经过CMOS工艺，制得新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管。漏极在Si衬底上的选择性掺杂降低了漏端电阻以此来实现开态大电流，从而实现在提高Ion的同时优化SS和Ioff。同时，本发明为平面器件结构，因此与CMOS工艺相兼容。

主权项

1.一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S1、选取Si衬底；S2、在所述Si衬底上生长SiO2层；S3、在所述SiO2层上淀积Si3N4层；S4、以光刻胶掩膜，离子注入所述Si衬底形成TFET的漏极；S5、以光刻胶掩膜，离子注入所述Si衬底形成TFET的源极；S6、进行快速高温退火，激活在所述源极和所述漏极掺杂的杂质；S7、使用MBE形成InAs沟道；S8、使用ALD在所述InAs沟道上淀积栅氧化层；S9、经过CMOS工艺，制得所述新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管。