[发明专利]半导体器件和图像传感器有效
申请号: | 201810600349.7 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN109087923B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 韩东敏;金正生;罗承柱;李准泽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:多个第一图案,在半导体基板上;和多个第二图案和至少一个第二采样图案,在所述半导体基板上,其中所述第二图案和所述至少一个第二采样图案具有共同的形状和宽度,所述第二图案与所述至少一个第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开,其中所述第二采样图案包括第一侧壁、面对所述第一侧壁的第二侧壁、在所述第一侧壁上的第一点和在所述第二侧壁上的第二点,并且其中所述第二采样图案和所述多个第一图案中的与所述第二采样图案相关的相邻第一图案在与连接所述第一点和所述第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开,所述第一水平距离大于所述多个第二图案中的一个第二图案和所述多个第一图案中的与所述一个第二图案相关的相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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