[发明专利]一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法有效
| 申请号： | 201810599826.2 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108878640B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 时雪;阮学政;李国荣;刘文斌;曾江涛;郑嘹赢;满振勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/29 | 分类号： | H01L41/29;H01L41/293;H01L41/297;H01L41/047 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法，包括：使压电陶瓷片上下表面中至少一面上形成相互平行分布的凹槽的同时去除电极层，然后在压电陶瓷片的形成凹槽的表面再镀表面电极层，以增强压电陶瓷片中表面电极层与陶瓷片间的连接强度，所述凹槽的深度大于表面电极层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 压电 陶瓷 片中 表面 电极 连接 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法，其特征在于，包括：使压电陶瓷片上下表面中至少一面上形成相互平行分布的凹槽的同时去除电极层，然后在压电陶瓷片的形成凹槽的表面再镀表面电极层，以增强压电陶瓷片中表面电极层与陶瓷片间的连接强度，所述凹槽的深度大于表面电极层的厚度。
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