[发明专利]一种GaAs基InAs量子点材料生长方法有效
| 申请号： | 201810599199.2 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108847385B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘尚军;周勇;莫才平;冯琛;张靖;杨晓波;刘万清 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长一层所需厚度的低温帽层，生长温度为470～510℃；S5、在低温帽层上采用常规方法生长一层所需厚度的高温帽层，生长温度580～630℃。本发明采用FME模式III‑V族原子交替生长在InAs量子点表面，晶体质量好，原子迁移时间长，迁移率高，位错密度低，覆盖均匀性好，提高量子点的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas inas 量子 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，其特征在于，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长一层所需厚度的低温帽层，生长温度为470～510℃；S5、在低温帽层上采用常规方法生长一层所需厚度的高温帽层，生长温度580～630℃；其中，所述FME模式生长具体包括：S4.1、同时打开两路相同的V族源：V族源V‑1和V‑2，生长V族原子；S4.2、关闭V‑1族源，将V2族源作为保护气体；S4.3、打开III族源，生长单层III族原子，生长速率1ML/s；S4.4、关闭III族源；S4.5、打开V‑1族源，生长V‑1族原子；S4.6、重复S4.2～S4.5步骤若干次，形成低温帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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