[发明专利]一种具有高稳定性和低静态功耗的SRAM存储单元电路有效
| 申请号： | 201810597670.4 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108922572B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 贺雅娟;张九柏;吴晓清;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有高稳定性和低静态功耗的SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明提出了一种10T结构的SRAM存储单元电路，结合基于该电路的读写方式，能够使得本发明具有高的读噪声容限和写裕度；由于本发明中只有一条位线，且本发明的结构中第一NMOS管和第三NMOS管堆叠成一个下拉通路，第二PMOS管和第四PMOS管堆叠成一个上拉通路，减小了本发明中的漏电流，从而减小了本发明的静态功耗；同时本发明能够解决半选问题，在用于位交错阵列结构时能够改善存储器软错误率问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 稳定性 静态 功耗 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
1.一种具有高稳定性和低静态功耗的SRAM存储单元电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)，第三NMOS管(MN3)的栅极连接第三PMOS管(MP3)的栅极、第四PMOS管(MP4)的源极、第二PMOS管(MP2)和第四NMOS管(MN4)的漏极，其漏极连接第二PMOS管(MP2)、第二NMOS管(MN2)和第四NMOS管(MN4)的栅极以及第一PMOS管(MP1)和第三PMOS管(MP3)的漏极，其源极连接第一NMOS管(MN1)的漏极；第四PMOS管(MP4)的栅极连接第一写字线(WWLA)，其漏极连接第二NMOS管(MN2)的漏极、第六NMOS管(MN6)的源极、第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)的栅极；第五NMOS管(MN5)的栅极连接第六NMOS管(MN6)的栅极并连接字线(WL)，其漏极连接第四NMOS管(MN4)的源极，其源极连接第二写字线(WWLB)；第二NMOS管(MN2)的源极连接控制信号线(VVSS)，第六NMOS管(MN6)的漏极连接位线(BL)；第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)的源极连接电源电压(VDD)，第一NMOS管(MN1)的源极接地(GND)；所有NMOS管的体端均接地(GND)，所有PMOS管的体端均连接电源电压(VDD)。
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