[发明专利]三维多孔结构的Cd(II)配合物的合成方法和应用有效

专利信息
申请号: 201810595446.1 申请日: 2018-06-11
公开(公告)号: CN110577474B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 贺鸿明;李程鹏;杜淼 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: C07C229/76 分类号: C07C229/76;C07C227/16;B01J31/22;C07D317/36
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 李蕊;田阳
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种三维多孔结构的Cd(II)配合物的合成方法和应用,镉配合物化学式为[Cd2L·(H2O)3]n,其中,所述L为羧基去质子的3,3′,5,5′‑四(4‑羧基苯基)‑4,4′‑联苯二胺阴离子配体,合成方法,包括以下步骤:在3,3′,5,5′‑四(4‑羧基苯基)‑4,4′‑联苯二胺和镉(II)金属盐中加入N,N‑二乙基甲酰胺并使其均匀分散,于100~120℃下保持10~15天后,自然降至室温20~25℃,过滤后得到黄色块状单晶为所述镉配合物,本发明的镉配合物拥有催化位点和丰富的孔道结构,是一种良好的催化剂。
搜索关键词: 三维 多孔 结构 cd ii 配合 合成 方法 应用
【主权项】:
1.一种三维多孔结构的镉配合物,其特征在于,其化学式为[Cd
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