[发明专利]一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的MOSFET结构光敏器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的MOSFET结构光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长栅介质层；在栅介质层表面溅射Au材料形成源漏电极层；在源漏电极层表面制备MoSe₂材料形成沟道层；在沟道层表面生长CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收层；在Si衬底下表面溅射Al材料形成栅电极，从而形成基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的MOSFET结构光敏器件。利用CH₃NH₃PbI₃材料的光敏特性以及MoSe₂材料高迁移率，以及栅对沟道的控制作用，本发明的光敏器件具有高灵敏度、高对比度的特点。

主权项

1.一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的MOSFET结构光敏器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取Si衬底；S2、在所述Si衬底上表面生长栅介质层；S3、在所述栅介质层表面溅射Au材料形成源漏电极层；S4、在所述源漏电极层表面制备MoSe2材料形成沟道层；S5、在所述沟道层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；S6、在所述Si衬底下表面溅射Al材料形成栅电极，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的MOSFET结构光敏器件。