[发明专利]一种键合机台的监测方法有效
| 申请号： | 201810585458.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807229B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张威 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种键合机台的监测方法，属于集成电路技术领域，包括：提供一所述键合晶圆，所述键合晶圆包括硅衬底层和设置于所述所述硅衬底层上的氧化物层；对所述氧化物层的厚度进行测量以获得第一厚度值；将所述键合晶圆放入所述键合机台进行等离子体轰击操作，记录关联于所述等离子体轰击操作的操作信息后，对所述氧化物层的厚度进行测量以获得第二厚度值；计算所述第一厚度值与所述第二厚度值的厚度差值，所述厚度差值与所述键合晶圆的晶圆表面激活程度呈正比。本发明的有益效果：通过计算键合机台中等离子体轰击前后键合晶圆的氧化膜厚度差值来监测键合机台，及时发现异常，减小键合晶圆在键合过程中受到的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 机台 监测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种键合机台的监测方法，其特征在于，用于在键合制程中对键合机台的制程精度进行监测，所述键合制程包括对用于键合的每个键合晶圆分别进行等离子体轰击操作和重新联接操作；所述监测方法包括：步骤S1、提供一所述键合晶圆，所述键合晶圆包括硅衬底层和设置于所述所述硅衬底层上的氧化物层；步骤S2、对所述氧化物层的厚度进行测量以获得第一厚度值；步骤S3、将所述键合晶圆放入所述键合机台进行等离子体轰击操作，记录关联于所述等离子体轰击操作的操作信息后，对所述氧化物层的厚度进行测量以获得第二厚度值；步骤S4、计算所述第一厚度值与所述第二厚度值的厚度差值，所述厚度差值与所述键合晶圆的晶圆表面激活程度呈正比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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