[发明专利]MEMS SOI晶圆和制备方法以及MEMS传感器和制备方法在审
| 申请号： | 201810583072.1 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108793053A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 桑新文;盛云 | 申请（专利权）人： | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 高海棠 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS SOI晶圆和制备方法以及MEMS传感器及其制备方法，该晶圆结构包括基底、介质层、器件层以及空腔：所述空腔位于基底中，空腔中形成有支撑结构，且支撑结构的深度与空腔的深度相同，所述介质层位于基底和器件层之间。其制备方法包括：基底的准备；基底上凹槽的制作；器件层晶圆的准备；器件层晶圆上介质层的制作；器件层晶圆与基底的粘结；MEMS SOI晶圆的形成。用本晶圆制备出的MEMS传感器具有一致性高、性能优异、稳定性好以及抗外接环境干扰性强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 基底 制备 器件层 空腔 支撑结构 介质层 环境干扰 晶圆结构 上介质层 上凹槽 外接 粘结 制作 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS SOI晶圆，其特征在于，该晶圆结构(7)包括基底(1)、介质层(2)、器件层(3)以及空腔(4)：所述空腔(4)位于基底(1)中，空腔(4)中形成有支撑结构(5)，且支撑结构(5)的深度与空腔(4)的深度相同，所述介质层(2)位于基底(1)和器件层(3)之间。
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