[发明专利]金属连接结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810578648.5 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108520858A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属连接结构及其形成方法，所述金属连接结构的形成方法包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属通孔；提供第二基底，所述第二基底包括第二介质层，所述第二介质层内形成有开口；形成覆盖所述开口侧壁表面的第二阻挡层，所述第二阻挡层为非金属材料；形成位于所述第二阻挡层表面且填充满所述开口的第二金属通孔；将所述第一金属通孔表面与所述第二金属通孔表面键合，使得所述第一金属通孔与第二金属通孔电连接。上述方法能够避免所述金属连接结构的金属向外扩散，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属通孔 金属连接结构 介质层 基底 阻挡层 开口 非金属材料 阻挡层表面 表面键合 开口侧壁 电连接 金属 扩散 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种金属连接结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属通孔；提供第二基底，所述第二基底包括第二介质层，所述第二介质层内形成有开口；形成覆盖所述开口侧壁表面的第二阻挡层，所述第二阻挡层为非金属材料；形成位于所述第二阻挡层表面且填充满所述开口的第二金属通孔；将所述第一金属通孔表面与所述第二金属通孔表面键合，使得所述第一金属通孔与第二金属通孔电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
