[发明专利]一种量子点及其合成方法有效
| 申请号： | 201810577676.5 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108531185B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋秀琴 | 申请（专利权）人： | 宁波纳鼎新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 315000 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点及其合成方法。所述量子点具有核壳结构，其中的核包括CdZnSeS量子点，壳层包括依次包覆所述核的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层以及第二ZnS层。所述合成方法包括：提供作为核的CdZnSeS量子点，于所述CdZnSeS量子点上包裹壳层，所述壳层包括依次形成的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层和第二ZnS层。本发明的量子点采用双层CdZnS合金过渡层，可在提高吸光度的同时提升效率并且提高稳定性；并且，合成方法反应条件温和，应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点，其特征在于它具有核壳结构，其中的核包括CdZnSeS量子点，壳层包括依次包覆所述核的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层以及第二ZnS层；优选的，所述核的尺寸为5～7nm；优选的，所述第一CdZnS层的厚度为1～3nm；优选的，所述第二CdZnS层的厚度为2～4nm；优选的，所述第一ZnS层的厚度为2～4nm；优选的，所述第二ZnS层的厚度为2～4nm。
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