[发明专利]一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810570229.7 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807501B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 许海东 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 211106 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，沿着终端区域(101)、过渡区域(102)和原胞区域(103)的纵向剖面，从下到上依次为：P+集电极层(204)、N+场截止层(203)、N漂移层(202)和表面PN+交替层(201)。所述绝缘栅双极晶体管的制备方法，是在N型衬底材料上通过增加一次N型离子注入，在原胞中充当载流子存储层，同时利用保护环P型注入，在原胞处形成PN电荷补偿结构，避免因N型离子注入引起的击穿电压降低，同时N型离子注入提高了终端表面的杂质浓度，可以降低可动电荷对终端表面电场的影响，并提高器件的耐压可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低导通压降 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述的绝缘栅双极晶体管包括：终端区域(101)、过渡区域(102)和原胞区域(103)；晶体管中间区域为原胞区域(103)，终端区域(101)围绕原胞区域(103)一圈，原胞区域(103)与终端区域(101)过渡之处为过渡区域(102)；沿着原胞区域(103)、过渡区域(102)和终端区域(101)的纵向剖面，从下到上依次为：P+集电极层(204)、N+场截至层(203)、N漂移层(202)和表面PN+交替层(201)。
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