[发明专利]薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法有效
申请号: | 201810561244.5 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN108767066B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 王振华;黄东海;汤志为;黄进阳;乐安新;杨凯;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法,该边缘隔离方法用于对经激光清边后的薄膜太阳能电池进行边缘隔离,包括步骤:提供经激光清边后的薄膜太阳能电池;机械刻刀移动到薄膜太阳能电池离短边清边区域预设距离处;机械刻刀受恒力驱使移动至机械刻刀的刀头正好与背电极层的表面接触;薄膜太阳能电池与机械刻刀沿垂直于内联刻线的方向相对移动,使得机械刻刀刮除掉透明导电层和吸收层,从而实现薄膜太阳能电池的边缘隔离,解决了薄膜太阳能电池进行激光清边时可能产生短路而影响薄膜太阳能电池性能的问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制备 方法 及其 边缘 隔离 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的